功率半导体实验室专注半导体材料与器件的基础科学、工程技术和产业应用领域的创新研究。实验室研究内容主要包括第三代半导体碳化硅/氮化镓和第四代半导体氧化镓的外延生长与掺杂机制、芯片设计与模拟仿真、芯片制备与模块集成，包括研制一系列SBD/MOSFET/HEMT功率器件和SBD/MSM/PN/PIN/APD光电器件。受邀撰写碳化硅材料与器件英文专著章节，已在Nature Physics、Advanced Sciences、Energy Storage Materials、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters等国际知名学术期刊和会议上发表论文百余篇，申请发明专利十余项，其中部分专利实现产业转化。 功率半导体实验室依托厦...No content
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