InAlN/GaN MISHEMT with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric
发布时间：2023-04-04
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- 1.491
- 发表刊物：
- Japanese Journal of Applied Physics
- 备注：
- P Cui, J Zhang, M Jia, G Lin, L Wei, H Zhao, L Gundlach, Y Zeng
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-01-01
