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研究概况

    课题组依托厦门大学集成电路产教融合创新平台(国家级)、嘉庚创新实验室(国家级)、萨本栋微米纳米科学技术研究院等公共平台,打造先进半导体产学研一体化工艺实验室。工艺设备涵盖外延生长、测试表征和器件工艺三大类。其中材料生长设备有分子束外延(MBE)、化学气相沉积系统(CVD)、磁控溅射(Sputter)、原子层沉积(ALD)等;测试表征设备有场发射扫描电子显微镜(SEM)X射线衍射仪(XRD)X射线光电子能谱技术(XPS) 透射电子显微镜(TEM)原子力显微镜(AFM)、半导体参数测试系统、高低温探针台、激光扫描共焦显微镜等;器件工艺主要有电子束光刻系统(EBL)、紫外光刻机、聚焦离子束纳米加工系统(FIB)、晶圆级键合机、激光直写光刻机、ICP\RIE刻蚀系统、等离子清洗机等。

     

    一、材料生长设备

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    磁控溅射薄膜沉积设备

     

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    分子束外延(MBE)薄膜沉积设备

     

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    电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统(CVD)

     

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    原子层沉积系统(ALD)

     

     

    二、测试表征设备

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    场发射扫描电子显微镜(SEM)

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    X射线衍射仪(XRD)

     

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    半导体器件测试探针台

     

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    高低温探针台

     

     

     

     

    三、器件工艺设备

     

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    ICP-RIE等离子刻蚀机

     

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    MA6光刻机

     

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    电子束光刻系统(EBL)

     

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    有机清洗机台

     


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