研究概况

课题组依托厦门大学集成电路产教融合创新平台(国家级)、嘉庚创新实验室(国家级)、萨本栋微米纳米科学技术研究院等公共平台,打造先进半导体产学研一体化工艺实验室。工艺设备涵盖外延生长、测试表征和器件工艺三大类。其中材料生长设备有分子束外延(MBE)、化学气相沉积系统(CVD)、磁控溅射(Sputter)、原子层沉积(ALD)等;测试表征设备有场发射扫描电子显微镜(SEM)X射线衍射仪(XRD)X射线光电子能谱技术(XPS) 透射电子显微镜(TEM)原子力显微镜(AFM)、半导体参数测试系统、高低温探针台、激光扫描共焦显微镜等;器件工艺主要有电子束光刻系统(EBL)、紫外光刻机、聚焦离子束纳米加工系统(FIB)、晶圆级键合机、激光直写光刻机、ICP\RIE刻蚀系统、等离子清洗机等。

 

一、材料生长设备

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磁控溅射薄膜沉积设备

 

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分子束外延(MBE)薄膜沉积设备

 

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电感耦合等离子体增强型化学气相沉积系统(CVD)

 

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原子层沉积系统(ALD)

 

 

二、测试表征设备

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场发射扫描电子显微镜(SEM)

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X射线衍射仪(XRD)

 

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半导体器件测试探针台

 

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高低温探针台

 

 

 

 

三、器件工艺设备

 

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ICP-RIE等离子刻蚀机

 

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MA6光刻机

 

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电子束光刻系统(EBL)

 

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有机清洗机台

 


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