Improving the electrical performance of monolayer top-gated MoS2 transistors by post bis(trifluoromethane) sulfonamide treatment
发布时间：2023-04-04
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- 影响因子：
- 3.409
- 发表刊物：
- . Phys. D: Appl. Phys.
- 备注：
- G Lin, M Zhao, M Jia, P Cui, H Zhao, J Zhang, L Gundlach, X Liu, A T Johnson, Y Zeng,
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-01-01
