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论文成果
Enhancement/Depletion Mode TiO2 Thin Film Transistors via O2/N2 Pre-annealing
发布时间:2023-04-04
点击次数:
发表刊物:
IEEE Transactions on Electron Device
备注:
J Zhang, G Lin, P Cui, M Jia, Z Li, L Gundlach, Y Zeng
是否译文:
否
发表时间:
2020-01-01
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Improving the electrical performance of monolayer top-gated MoS2 transistors by post bis(trifluoromethane) sulfonamide treatment
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Fabrication of a polycrystalline SiGe- and Ge-on-insulator by Ge condensation of amorphous SiGe on a SiO2/Si substrate