论文成果

Fabrication of a polycrystalline SiGe- and Ge-on-insulator by Ge condensation of amorphous SiGe on a SiO2/Si substrate

发布时间:2023-04-04
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2.048
发表刊物:
Semiconductor Science and Technology
备注:
G Lin, D Liang, Z Huang, C Yu, P Cui, J Zhang, J Wang, J Xu, S Chen, C Li, Y Zeng
是否译文:
发表时间:
2020-01-01

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