功率半导体实验室
English
首页
团队领导
团队
团队简介
研究方向
科研成果
论文成果
专利成果
科学研究
科研项目
研究概况
人才培养
我的链接
关于我们
更多
首页
团队领导
团队
团队简介
研究方向
科研成果
论文成果
专利成果
科学研究
科研项目
研究概况
人才培养
我的链接
关于我们
English
当前位置:
功率半导体实验室
>>
科研成果
>>
论文成果
论文成果
Atomically-thin atomic-layer-deposited InZnO transistors with BEOL compatibility
发布时间:2023-04-04
点击次数:
发表刊物:
IEEE Device Research Conference
备注:
D Zheng, J Zhang, A Charnas, Z Zhang, X Lyu, P Liao, Z Lin and P. D. Ye
是否译文:
否
发表时间:
2022-01-01
上一条:
Fluorine-passivated In2O3 Thin Film Transistors with Improved Electrical Performance via Low-Temperature CF4/N2O Plasma
下一条:
BEOL-Compatible Atomic-Layer-Deposited In-rich InGaO TFTs with High Positive-Gate-Bias-Stress Stability