Fluorine-passivated In2O3 Thin Film Transistors with Improved Electrical Performance via Low-Temperature CF4/N2O Plasma
发布时间：2023-04-04
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- 3.816
- 发表刊物：
- Applied Physics Letters
- 备注：
- J Zhang, A Charnas, Z Lin, D Zheng, Z Zhang, P Liao, D Zemlyanov, and P. D. Ye
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01
