BEOL-Compatible Atomic-Layer-Deposited In-rich InGaO TFTs with High Positive-Gate-Bias-Stress Stability
发布时间：2023-04-04
点击次数：
- 发表刊物：
- IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
- 备注：
- J Zhang, Z Zhang, D Zheng, A Charnas, Z Lin, and P. D. Ye
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01
