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论文成果
Effect of gallium incorporation on electrical and material characteristics of TiO2 films for high-permittivity dielectric application
发布时间:2023-04-04
点击次数:
发表刊物:
Compound Semiconductor Week
备注:
J Zhang, H Zhao, T Zhama, Y Zeng
是否译文:
否
发表时间:
2022-01-01
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Record RF Performance of Ultra-thin Indium Oxide Transistors with Buried-gate Structure
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