论文成果

Record RF Performance of Ultra-thin Indium Oxide Transistors with Buried-gate Structure

发布时间:2023-04-04
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发表刊物:
IEEE Device Research Conference
备注:
A Charnas, J Anderson, J Zhang, D Zheng, D Weinstein and P. D. Ye
是否译文:
发表时间:
2022-01-01

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