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论文成果
Record RF Performance of Ultra-thin Indium Oxide Transistors with Buried-gate Structure
发布时间:2023-04-04
点击次数:
发表刊物:
IEEE Device Research Conference
备注:
A Charnas, J Anderson, J Zhang, D Zheng, D Weinstein and P. D. Ye
是否译文:
否
发表时间:
2022-01-01
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Effect of gallium incorporation on electrical and material characteristics of TiO2 films for high-permittivity dielectric application