Low Turn-on Voltage and Reverse Leakage Current β-Ga2O3 MIS Schottky Barrier Diode with an AlN Interfacial Layer
发布时间：2024-02-26
点击次数：
- 发表刊物：
- IEEE Transactions on Electron Devices
- 备注：
- Zifan Hong, Weifeng Yang* et al
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-01-01
©2023 厦门大学 电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院） 功率半导体实验室 版权所有
访问量：次 最后更新时间：..
邮编：
通讯/办公地址：
邮箱：
