Trench Beside Field Limiting Rings Terminal for Improved 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes: Proposal and Investigation
发布时间：2024-02-26
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- 发表刊物：
- Microelectronics Reliability
- 备注：
- Xiaofeng Ye, Weifeng Yang* et al
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-01-01
