Lowering Schottky Barrier Height by Quasi-van Der Waals Contacts for High-performance P-type MoTe2 Field-Effect Transistors
发布时间：2024-02-26
点击次数：
- 发表刊物：
- ACS Applied Materials & Interfaces
- 备注：
- Ze Yang, Weifeng Yang* et al.
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2024-01-01
