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论文成果
High-Performance β-Ga2O3 MISIM Solar-Blind Photodetectors with An Interfacial AlN Layer
发布时间:2024-02-26
点击次数:
发表刊物:
IEEE Photonics Technology Letters
备注:
Chuanlun Zhang Weifeng Yang* et al.
期号:
36
页面范围:
593-596
是否译文:
否
发表时间:
2024-01-01
上一条:
Lowering Schottky Barrier Height by Quasi-van Der Waals Contacts for High-performance P-type MoTe2 Field-Effect Transistors
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Effect of Oxygen Precursors on Growth Mechanism in High-quality β-Ga2O3 Epilayers on Sapphire by Molecular Beam Epitaxy and Related Solar-blind Photodetectors