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论文成果
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发布时间:2023-05-03
点击次数:
发表刊物:
Applied Physics Letters
备注:
JCR二区,TOP期刊,IF: 3.9
期号:
112
页面范围:
171604
是否译文:
否
发表时间:
2018-01-01
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Reliability of Atomic-Layer-Deposited Gate-All-Around In2O3 Nano-Ribbon Transistors with Ultra-High Drain Currents
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