Enhanced electrical performance of forming gas annealed InAlN/GaN HEMTs on silicon with fT/fmax of 165/165 GHz
发布时间：2023-04-04
点击次数：
- 发表刊物：
- IEEE Device Research Conference
- 备注：
- P Cui, M Jia, G Lin, J Zhang, L Gundlach, Y Zeng
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-01-01
