论文成果

Highly Gate-Bias-Stress Stable Atomic-Layer-Deposited InZnO TFTs with BEOL-Compatibility

发布时间:2023-04-04
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发表刊物:
IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
备注:
.D Zheng, A Charnas, H Dou, Z Hu, J Zhang, H Wang, and P. D. Ye
是否译文:
发表时间:
2022-01-01

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