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专利成果

一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法

发布时间：2023-04-03

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专利说明：: 杨伟锋，帅浩

申请号：: 202110493226.X

发明人数：: 2

是否职务专利：: 否

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