张捷

*个人简历：

2023年加入厦门大学功率半导体研究团队，有着近十年海外留学工作经历，专注新型半导体材料与器件的研究。主要研究方向包括宽禁带半导体、金属氧化物、薄膜晶体管、微纳器件制造与测试。在金属氧化物薄膜晶体管领域中取得了一些指标性成果，研制出目前国际最高电学性能的TiO2薄膜晶体管和InGaO薄膜晶体管，研究成果处于世界先进水平,发表SCI论文25篇，其中以第一作者发表SCI论文8篇,包括微电子领域顶级期刊 IEEE Electron Device Letters（3篇)、IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、Applied Physics Express等杂志。参与并报告国际会议近二十篇，包括微电子领域顶级会议International Electron Devices Meeting、International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications、Electron Devices Technology and Manufacturing、Device Research Conference等，其中以第一作者身份作会议报告11篇。

*学历：

2011-09 至 2015-06, 厦门大学, 微电子学, 学士

2015-09 至 2022-02, 美国特拉华大学, 电磁学与光子学, 博士

2022-02 至 2023-01, 美国普渡大学，电子工程系，博士后

*研究方向：

宽禁带半导体、金属氧化物、薄膜晶体管、微纳器件制造与测试

*学术兼职：

（1）2023-03 至今, 电气与电子工程师协会(IEEE)及电子元件分会（IEEE Electron Devices Society）会员(Member)

（2）2020-09 至 2022-09，电气与电子工程师协会(IEEE)及电子元件分会（IEEE Electron Devices Society）学生会员(Student Member)

*成果奖励：

（1）2020-06，美国特拉华大学博士生奖学金(University of Delaware Doctoral Fellowship)；

（2）2019-05，美国特拉华大学电子工程系电子学与光子学最佳研究奖(The nanoelectronics, electromagnetics and photonics award, UD ECE Research Day)；

（3）2019-05、2017-05(两次)，美国特拉华大学班尼特奖学金(Bendett Fellowship);

（4）2019-05、2018-05(两次)，美国特拉华大学专业发展奖(Professional Development Award);

（5）2018-07，美国特拉华大学夏季博士生奖学金(Summer Doctoral Fellowship);

（6）2015-05，国家留学基金委奖学金；

（7）2015-05，厦门大学优秀毕业生；

（8）2012-09，国家奖学金；

（9）申请人本科学习期间，多次获得厦门大学校级奖学金、物理与机电工程学院院级奖学金、三好学生、优秀班干等荣誉称号。