论文成果

Sub-60 mV/decade Switching via Hot Electron Transfer in Nanoscale GaN HEMTs

发布时间:2023-04-04
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影响因子:
4.816
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
备注:
P Cui, G Lin, J Zhang, Y Zeng
是否译文:
发表时间:
2020-01-01

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