功率半导体实验室
English
首页
团队领导
团队
团队简介
研究方向
科研成果
论文成果
专利成果
科学研究
科研项目
研究概况
人才培养
我的链接
关于我们
更多
首页
团队领导
团队
团队简介
研究方向
科研成果
论文成果
专利成果
科学研究
科研项目
研究概况
人才培养
我的链接
关于我们
English
当前位置:
功率半导体实验室
>>
科研成果
>>
论文成果
论文成果
Sub-60 mV/decade Switching via Hot Electron Transfer in Nanoscale GaN HEMTs
发布时间:2023-04-04
点击次数:
影响因子:
4.816
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
备注:
P Cui, G Lin, J Zhang, Y Zeng
是否译文:
否
发表时间:
2020-01-01
上一条:
Impact of ZrO2 dielectrics thickness on electrical performance of TiO2 thin film transistors with sub-2 V operation
下一条:
Ionic doping of TiO2 thin film transistors using superacid treatment