Threshold voltage modulation in monolayer MoS2 field-effect transistors via selective gallium ion beam irradiation
发布时间：2023-04-04
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- 8.642
- 发表刊物：
- Science China Materials
- 备注：
- Baoshan Tang,Yunshan Zhao,Changjie Zhou,Mingkun Zhang,Huili Zhu,Yida Li,Jin Feng Leong,Hao Shuai,Hao Gong and Weifeng Yang
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-01-01
