Improved On/Off current ratio of TiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with N2O surface treatment on TiO2 layer
发布时间：2023-04-04
点击次数：
- 发表刊物：
- IEEE Device Research Conference
- 备注：
- T Zhama, P Cui, J Zhang, H Zhao, A Sharma and Y Zeng
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-01-01
©2023 厦门大学 电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院） 功率半导体实验室 版权所有
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