二维超宽禁带材料与深紫外光电器件

        本方向聚焦六方氮化硼（hBN）等二维超宽禁带材料的可控制备及其深紫外光电应用。二维超宽禁带材料兼具原子级厚度、大禁带宽度、优异界面特性及天然深紫外选择性，为发展低暗电流、高信噪比和高集成度的新型日盲紫外探测器提供了独特材料平台。

        我们从高质量材料生长、缺陷与界面调控出发，系统研究深紫外光生载流子产生、输运、复合及金属—半导体接触机制，进一步发展单像素探测器、二维器件阵列与片上成像系统，建立从材料—器件—阵列—成像的一体化研究路线。

重点研究：

·       晶圆级多层hBN及二维超宽禁带材料可控制备

·       材料层数、缺陷、界面及能带结构调控

·       低暗电流、高响应度深紫外探测器件

·       深紫外像素阵列及晶圆级器件制造

·       日盲深紫外成像及片上光电系统集成