晶圆级二维材料制备与硅基集成

        本方向面向后摩尔时代新材料与新型半导体器件的发展需求，研究二维材料从原子尺度可控生长到晶圆级制造与芯片集成的关键科学与技术问题。围绕石墨烯、六方氮化硼（hBN）、过渡金属硫族化合物（TMDs）及其他新型二维材料，系统研究成核、外延、生长动力学、界面作用及晶体取向调控机制。

        在此基础上，发展晶圆级单晶生长、精准层数与堆垛控制、低温直接生长及无转移集成技术，探索二维材料与硅基半导体工艺的兼容路径，推动二维材料由微米尺度基础研究向大面积、可重复、可制造的晶圆级材料与器件发展。

重点研究：

·       二维材料CVD/MOCVD生长机制与晶体取向调控

·       晶圆级单晶Graphene、hBN及TMD材料制备

·       二维材料层数、堆垛、缺陷与界面精准调控

·       低温、无转移二维材料直接生长与BEOL兼容集成

·       二维材料/硅基平台异质集成与晶圆级器件制造