低温无转移直接生长与片上集成

发布时间：2026-04-15

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说明：: 面向二维材料与硅基半导体工艺兼容的关键需求，发展hBN、石墨烯及TMD材料的低温、无转移和区域选择性直接生长技术，实现在绝缘衬底、金属电极、功能材料、预加工器件及CMOS芯片表面的原位制备。重点解决低温条件下前驱体裂解、材料结晶、界面洁净度、缺陷控制和器件热预算等问题，推动二维材料由传统“生长—转移—加工”模式向“直接生长—原位集成—器件制造”模式转变。