晶圆级单晶六方氮化硼（hBN）生长

发布时间：2026-04-15

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说明：: 围绕六方氮化硼（hBN）晶圆级单晶薄膜的发展，重点研究hBN的低密度成核、单一取向生长、晶畴无缝拼接、层数与堆垛结构调控，以及单晶金属和合金催化衬底构筑。通过优化前驱体反应、表面催化过程和晶圆尺度温场、流场分布，发展高质量、低缺陷、高均匀性的晶圆级hBN可控制备技术，为二维电子学、范德华异质结构、超薄介电层、量子器件及先进半导体集成提供材料基础。