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论文成果
Crystallinity engineering of stoichiometric TiO2: transition from insulator to semiconductor
发布时间:2023-04-04
点击次数:
发表刊物:
IEEE Device Research Conference
备注:
J Zhang, G Lin, P Cui, Y Zeng
是否译文:
否
发表时间:
2021-01-01
上一条:
Improved On/Off current ratio of TiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with N2O surface treatment on TiO2 layer
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One-volt TiO2 Thin Film Transistors with Low-Temperature Process